Nexperia BSH111BK Type N-Channel MOSFET, 335 mA, 55 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSH111BKR

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 100 unités)*

5,70 €

(TVA exclue)

6,90 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 27 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
100 +0,057 €5,70 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
170-5339
Référence fabricant:
BSH111BKR
Fabricant:
Nexperia
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

335mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Package Type

SOT-23

Series

BSH111BK

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.1Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.45W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1mm

Width

1.4 mm

Length

3mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
Logic- and Standard Level MOSFETs in a variety of packages. Sample our robust and easy-to-use MOSFETs in the 40 V to 60 V range. They are perfect for space- and power-critical applications, delivering excellent switching performance and class-leading safe operating area (SOA).

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology

Low threshold voltage

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 3 kV HBM

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

Liens connexes