Infineon BSC12DN20NS3 G Type N-Channel MOSFET, 11.3 A, 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

3 265,00 €

(TVA exclue)

3 950,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 18 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,653 €3 265,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
170-2290
Référence fabricant:
BSC12DN20NS3GATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

11.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TDSON

Series

BSC12DN20NS3 G

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

50W

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.35 mm

Height

1.1mm

Length

5.35mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon BSC12DN20NS3 G 200V OptiMOS products are performance leading Benchmark technologies, perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters for DC motor drives.

Highest efficiency

Highest power density

Lowest board space consumption

Minimal device paralleling required

System cost improvement

Liens connexes