DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 4.1 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC

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N° de stock RS:
169-7498
Référence fabricant:
DMN6070SSD-13
Fabricant:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

100mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.6nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.5W

Forward Voltage Vf

0.75V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Width

3.95 mm

Length

4.95mm

Standards/Approvals

J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202

Height

1.5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET Transistors, Diodes Inc.


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