STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Channel MOSFET, 6 A, 1200 V, 3-Pin TO-220 STP6N120K3

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N° de stock RS:
168-8924
Référence fabricant:
STP6N120K3
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

TO-220

Series

MDmesh, SuperMESH

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.4 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Length

10.4mm

Number of Elements per Chip

1

Width

4.6mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

39 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Forward Diode Voltage

1.6V

Height

14.9mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Pays d'origine :
CN

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics



MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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