STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 3 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 168-7120
- Référence fabricant:
- STP4N80K5
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
47,75 €
(TVA exclue)
57,80 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 250 unité(s) expédiée(s) à partir du 01 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,955 € | 47,75 € |
| 100 - 200 | 0,812 € | 40,60 € |
| 250 + | 0,792 € | 39,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 168-7120
- Référence fabricant:
- STP4N80K5
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 60W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.4mm | |
| Width | 4.6 mm | |
| Height | 15.75mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 60W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.4mm | ||
Width 4.6 mm | ||
Height 15.75mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Liens connexes
- STMicroelectronics MDmesh K5 3 A 3-Pin TO-220 STP4N80K5
- STMicroelectronics MDmesh K5 2.5 A 3-Pin TO-220 STP3N80K5
- STMicroelectronics MDmesh K5 14 A 3-Pin TO-220 STP15N80K5
- STMicroelectronics MDmesh K5 2 A 3-Pin TO-220 STP2N80K5
- STMicroelectronics MDmesh K5 12 A 3-Pin TO-220 STP13N80K5
- STMicroelectronics MDmesh K5 19.5 A 3-Pin TO-220 STP25N80K5
- STMicroelectronics MDmesh K5 6 A 3-Pin TO-220 STP7N80K5
- STMicroelectronics MDmesh K5 3 A 3-Pin TO-220FP STF4N80K5
