Nexperia BUK9M8560E Type N-Channel MOSFET, 12.8 A, 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK BUK9M85-60EX

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153-0662
Référence fabricant:
BUK9M85-60EX
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

BUK9M8560E

Package Type

LFPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

192mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

31W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

15 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.4nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

2.6 mm

Length

3.4mm

Standards/Approvals

No

Height

0.9mm

Automotive Standard

AEC-Q101

N-channel 60 V, 85 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33, Logic level N-channel MOSFET in an LFPAK33 (Power33) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications.

Q101 compliant

Repetitive avalanche rated

Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating

True logic level gate with VGS(th) rating of greater than 0.5 V at 175 °C

12 V automotive systems

Motors, lamps and solenoid control

Transmission control

Ultra high performance power switching

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