ROHM SiC N-Channel MOSFET, 5.9 A, 1700 V, 2 + Tab-Pin TO-268 SCT2750NYTB

Indisponible
RS n'aura plus ce produit en stock.
Options de conditionnement :
N° de stock RS:
150-1502P
Référence fabricant:
SCT2750NYTB
Fabricant:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5.9 A

Maximum Drain Source Voltage

1700 V

Package Type

TO-268

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

2 + Tab

Maximum Drain Source Resistance

1.088 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.6V

Maximum Power Dissipation

57 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

22 V

Typical Gate Charge @ Vgs

17 nC @ 18 V

Length

15.95mm

Width

13.9mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

5mm

Low on-resistance
Fast switching speed
Long creepage distance with no center lead
Simple to drive
Pb-free lead plating, RoHS compliant

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.