STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET, 2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- N° de stock RS:
- 145-8882
- Référence fabricant:
- STR2P3LLH6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 3000 unités)*
492,00 €
(TVA exclue)
594,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 04 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,164 € | 492,00 € |
| 6000 - 6000 | 0,162 € | 486,00 € |
| 9000 - 21000 | 0,16 € | 480,00 € |
| 24000 + | 0,158 € | 474,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 145-8882
- Référence fabricant:
- STR2P3LLH6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | STripFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 90mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 350mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.3mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series STripFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 90mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 350mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.3mm | ||
Length 3.04mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Liens connexes
- STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 STR2P3LLH6
- STMicroelectronics STripFET V Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET V Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 STR2N2VH5
- STMicroelectronics STripFET Type P-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN3P6F6
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223