STMicroelectronics MDmesh N-Channel MOSFET, 5 A, 600 V, 3-Pin DPAK STB7ANM60N

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N° de stock RS:
145-8812
Référence fabricant:
STB7ANM60N
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

MDmesh

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

900 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Typical Gate Charge @ Vgs

14 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Length

6.6mm

Width

6.2mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

2.4mm

Pays d'origine :
CN

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics



MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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