Références fabricant

onsemi SuperFET II N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FCP190N65F

N° de stock RS:: 145-4426
Référence fabricant:: FCP190N65F
Fabricant:: onsemi

onsemi SuperFET II N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FCP190N65F

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N° de stock RS:: 145-4426
Référence fabricant:: FCP190N65F
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	20 A
	Maximum Drain Source Voltage	650 V
	Package Type	TO-220
	Series	SuperFET II
	Mounting Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance	168 mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Gate Threshold Voltage	3V
	Maximum Power Dissipation	208 W
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
	Width	4.7mm
	Number of Elements per Chip	1
	Transistor Material	Si
	Typical Gate Charge @ Vgs	60 nC @ 10 V
	Maximum Operating Temperature	+150 °C
	Length	10.67mm
	Height	16.3mm
	Minimum Operating Temperature	-55 °C

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	Marque onsemi
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current 20 A
	Maximum Drain Source Voltage 650 V
	Package Type TO-220
	Series SuperFET II
	Mounting Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance 168 mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Gate Threshold Voltage 3V
	Maximum Power Dissipation 208 W
	Transistor Configuration Single
	Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
	Width 4.7mm
	Number of Elements per Chip 1
	Transistor Material Si
	Typical Gate Charge @ Vgs 60 nC @ 10 V
	Maximum Operating Temperature +150 °C
	Length 10.67mm
	Height 16.3mm
	Minimum Operating Temperature -55 °C

onsemi SuperFET II N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-220 FCP190N65F

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