onsemi NVMFS5C604NL Type N-Channel MOSFET, 287 A, 60 V Enhancement, 4-Pin DFN
- N° de stock RS:
- 141-2084
- Référence fabricant:
- NVMFS5C604NLAFT1G
- Fabricant:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 1500 unités)*
4 245,00 €
(TVA exclue)
5 130,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 08 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1500 + | 2,83 € | 4 245,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 141-2084
- Référence fabricant:
- NVMFS5C604NLAFT1G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 287A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | DFN | |
| Series | NVMFS5C604NL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 120nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5.1mm | |
| Width | 6.1 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-Free | |
| Height | 1.05mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 287A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type DFN | ||
Series NVMFS5C604NL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 120nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5.1mm | ||
Width 6.1 mm | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-Free | ||
Height 1.05mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Liens connexes
- onsemi NVMFS5C604NL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin DFN NVMFS5C604NLAFT1G
- onsemi Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin DFN
- onsemi Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 5-Pin DFN NVMFS5C670NLT1G
- onsemi Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMTS0D7N06CLTXG
- onsemi NTMFS5H600NL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS5C673NL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS5C670NL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS5C673NL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 5-Pin DFN
