Vishay SUP50020E Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 4-Pin TO-220 SUP50020E-GE3
- N° de stock RS:
- 134-9705
- Référence fabricant:
- SUP50020E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
7,20 €
(TVA exclue)
8,72 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 26 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,60 € | 7,20 € |
| 20 - 98 | 3,37 € | 6,74 € |
| 100 - 198 | 3,24 € | 6,48 € |
| 200 - 498 | 3,155 € | 6,31 € |
| 500 + | 3,09 € | 6,18 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 134-9705
- Référence fabricant:
- SUP50020E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SUP50020E | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 126nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.65 mm | |
| Height | 15.49mm | |
| Length | 10.51mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SUP50020E | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 126nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.65 mm | ||
Height 15.49mm | ||
Length 10.51mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay SUP50010EL Type N-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SUP50010EL-GE3
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP260N6F6
- Vishay SUP50010EL Type N-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 120 V EnhancementS1X(S
