ROHM RYC002N05 Type N-Channel MOSFET, 200 mA, 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 RYC002N05T316

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133-2856
Référence fabricant:
RYC002N05T316
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

200mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

50V

Series

RYC002N05

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

350mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.5 mm

Standards/Approvals

No

Length

3.1mm

Height

1.15mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM


MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


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