Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET, 263 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK100E06N1,S1X(S

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

8,26 €

(TVA exclue)

9,995 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 20 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 201,652 €8,26 €
25 - 451,49 €7,45 €
50 - 1201,356 €6,78 €
125 - 2451,268 €6,34 €
250 +1,25 €6,25 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
125-0528
Référence fabricant:
TK100E06N1,S1X(S
Fabricant:
Toshiba
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

263A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-220

Series

U-MOSVIII-H

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

140nC

Maximum Power Dissipation Pd

255W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

4.45 mm

Height

15.1mm

Length

10.16mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
JP

MOSFET Transistors, Toshiba


Liens connexes