Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET, 263 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK100E06N1,S1X(S

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125-0528
Référence fabricant:
TK100E06N1,S1X(S
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

263A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-220

Series

U-MOSVIII-H

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

140nC

Maximum Power Dissipation Pd

255W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

15.1mm

Length

10.16mm

Width

4.45 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
JP

MOSFET Transistors, Toshiba


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