Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB4030PBF

N° de stock RS:: 124-9026
Référence fabricant:: IRLB4030PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLB4030PBF

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100 - 200	1,192 €	59,60 €
250 +	1,163 €	58,15 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 124-9026
Référence fabricant:: IRLB4030PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	87nC
	Maximum Power Dissipation Pd	370W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	9.02mm
	Width	4.83 mm
	Length	10.67mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 87nC
	Maximum Power Dissipation Pd 370W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 9.02mm
	Width 4.83 mm
	Length 10.67mm
	Automotive Standard No

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Pays d'origine :: MX

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