DiodesZetex DMG1013UW Type P-Channel MOSFET, 820 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70
- N° de stock RS:
- 121-9540
- Référence fabricant:
- DMG1013UW-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Offre groupée disponible
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
129,00 €
(TVA exclue)
156,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s)
- Plus 201 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 07 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,043 € | 129,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,038 € | 114,00 € |
| 15000 + | 0,036 € | 108,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 121-9540
- Référence fabricant:
- DMG1013UW-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 820mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | DMG1013UW | |
| Package Type | SC-70 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.62nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 310mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 6 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 2.2mm | |
| Height | 1mm | |
| Width | 1.35 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 820mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series DMG1013UW | ||
Package Type SC-70 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.62nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 310mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 6 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 2.2mm | ||
Height 1mm | ||
Width 1.35 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Liens connexes
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-323 DMG1013UW-7
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-323 DMP2240UW-7
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-323 DMP2165UW-7
- Diodes Inc DMP31 P-Channel MOSFET 30 V, 3-Pin SOT-323 DMP31D7LW-7
- Diodes Inc DMP2900 P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-323 DMP2900UW-7
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin SOT-323 BSS84W-7-F
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 50 V, 3-Pin SOT-323 DMN53D0LW-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-323 DMN601WK-7
