STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 28 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW35N60DM2

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111-6482
Référence fabricant:
STW35N60DM2
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

28A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247

Series

MDmesh DM2

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

110mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-6.3V

Maximum Power Dissipation Pd

210W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.75mm

Width

5.15 mm

Height

20.15mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics


The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

High dV/dt capability for improved system reliability

AEC-Q101 qualified

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


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