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STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW28N60DM2

N° de stock RS:: 111-6480
Référence fabricant:: STW28N60DM2
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW28N60DM2

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N° de stock RS:: 111-6480
Référence fabricant:: STW28N60DM2
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	22A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-247
	Series	MDmesh DM2
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	160mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	39nC
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	190W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	20.15mm
	Length	15.75mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 22A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-247
	Series MDmesh DM2
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 190W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 20.15mm
	Length 15.75mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

High dV/dt capability for improved system reliability

AEC-Q101 qualified

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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