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STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

N° de stock RS:: 111-6459P
Référence fabricant:: STB18N60DM2
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

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N° de stock RS:: 111-6459P
Référence fabricant:: STB18N60DM2
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-263
	Series	MDmesh DM2
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	290mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	90W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	20nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	9.35mm
	Height	4.6mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-263
	Series MDmesh DM2
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 290mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 90W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 9.35mm
	Height 4.6mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

High dV/dt capability for improved system reliability

AEC-Q101 qualified

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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