Références fabricant

STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60DM2

N° de stock RS:: 111-6459
Référence fabricant:: STB18N60DM2
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh DM2 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18N60DM2

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

15,06 €

(TVA exclue)

18,225 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 25 novembre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 5	3,012 €	15,06 €
10 - 95	2,564 €	12,82 €
100 - 495	2,008 €	10,04 €
500 +	1,696 €	8,48 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 111-6459
Référence fabricant:: STB18N60DM2
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-263
	Series	MDmesh DM2
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	290mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	90W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	20nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	9.35mm
	Height	4.6mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-263
	Series MDmesh DM2
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 290mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 90W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 9.35mm
	Height 4.6mm
	Automotive Standard No

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics

The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

High dV/dt capability for improved system reliability

AEC-Q101 qualified

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.