Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 Infineon BSL215CH6327XTSA1

N° de stock RS:: 110-7726P
Référence fabricant:: BSL215CH6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 Infineon BSL215CH6327XTSA1

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Référence fabricant:: BSL215CH6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

BSL215C OptiMOS Dual Small Signal MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Channel Type	N, P
Maximum Continuous Drain Current	1.5 A
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Package Type	TSOP-6
Series	OptiMOS™
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	6
Maximum Drain Source Resistance	250 mΩ, 280 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	0.6 V, 1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage	0.7 V, 1.2V
Maximum Power Dissipation	500 mW
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +12 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	2.9mm
Number of Elements per Chip	2
Transistor Material	Si
Width	1.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs	0.73 nC @ 4.5 V, 3 nC @ 5 V
Forward Diode Voltage	1.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Height	1mm

Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V, 6-Pin TSOP-6 Infineon BSL215CH6327XTSA1

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Infineon OptiMOS™ Dual Power MOSFET