ROHM N-Channel MOSFET, 240 A, 60 V, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD RJ1L10BBGTL1

Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (20 unités, conditionné en bande continue)*

77,50 €

(TVA exclue)

93,78 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 100 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
20 - 983,875 €
100 +3,13 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
780-362P
Référence fabricant:
RJ1L10BBGTL1
Fabricant:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

240A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263AB-3LSHYAD

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.41mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

160nC

Maximum Power Dissipation Pd

192W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

10.36mm

Height

4.77mm

Width

8.9mm

Automotive Standard

No

The ROHM Power MOSFET delivers high-performance N-channel switching for high-current power management. This robust device is engineered for motor drives and DC/DC converters, ensuring exceptional efficiency in demanding industrial switching circuits.

Drain to source voltage of 60 V

Continuous drain current of 105 A

Ultra-low 1.85 mΩ typical on-resistance

High power dissipation of 192 W

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.