Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET, 60 A, 40 V Enhancement, 8-Pin Tape & Reel IAUZN04S7N049ATMA1
- N° de stock RS:
- 762-976
- Référence fabricant:
- IAUZN04S7N049ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Visuel non contractuel
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
0,42 €
(TVA exclue)
0,51 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 4 900 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,42 € |
| 25 - 99 | 0,36 € |
| 100 + | 0,22 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 762-976
- Référence fabricant:
- IAUZN04S7N049ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | Tape & Reel | |
| Series | OptiMOS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.93mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.95V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 1.1mm | |
| Length | 2.29mm | |
| Width | 2.29mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type Tape & Reel | ||
Series OptiMOS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.93mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.95V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 1.1mm | ||
Length 2.29mm | ||
Width 2.29mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- MY
The Infineon Automotive MOSFET Power-Transistor is an N-channel, enhancement-mode MOSFET designed for automotive applications. It operates in high-temperature conditions and features robust construction. Extended qualification beyond AEC-Q101.
Enhanced electrical testing
Robust design
RoHS compliant
100% Avalanche tested
Liens connexes
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin Tape & Reel IAUZN04S7N032ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin Tape & Reel IAUZN04S7L030ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin Tape & Reel IAUZN04S7N026ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin Tape & Reel IAUZN04S7L046ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin Tape & Reel IAUZN04S7N020ATMA2
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin Tape & Reel IAUZN04S7L025ATMA1
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin Tape & Reel IAUZN04S7N013ATMA2
- Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin Tape & Reel IAUZN04S7L019ATMA1