Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET, 64 A, 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R060M2HXTMA1
- N° de stock RS:
- 762-872
- Référence fabricant:
- AIMBG75R060M2HXTMA1
- Fabricant:
- Infineon
Visuel non contractuel
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
7,91 €
(TVA exclue)
9,57 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 15 novembre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,91 € |
| 10 - 99 | 5,38 € |
| 100 - 499 | 4,49 € |
| 500 - 999 | 4,09 € |
| 1000 + | 3,74 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 762-872
- Référence fabricant:
- AIMBG75R060M2HXTMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 64A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 750V | |
| Package Type | PG-TO263-7 | |
| Series | AIMBG75R | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 31mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 169nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 23V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 234W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 64A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 750V | ||
Package Type PG-TO263-7 | ||
Series AIMBG75R | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 31mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 169nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 23V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 234W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- MY
The Infineon High performance SiC MOSFET designed to enhance efficiency in automotive applications by facilitating effective power conversion and management.
Offers robust 750V technology, ensuring high reliability in demanding applications
Features top-notch thermal dissipation capabilities for improved performance
Supports enhanced efficiency in hard switching applications, minimising energy loss
Includes integrated ESD protection to safeguard circuit integrity
Liens connexes
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R050M2HXTMA1
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R033M2HXTMA1
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R007M2HXTMA1
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R025M2HXTMA1
- Infineon AIMBG75R N-Channel MOSFET 750 V, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R040M2HXTMA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R027M1HXTMA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R140M1HXTMA1
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIMBG75R060M1HXTMA1