Vishay SQ3583CEV N channel, P-Channel MOSFET, 4.7 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3583CEV-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 736-343
- Référence fabricant:
- SQ3583CEV-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel, P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | TSOP-6 | |
| Series | SQ3583CEV | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.077Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.67W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel, P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type TSOP-6 | ||
Series SQ3583CEV | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.077Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.67W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- DE
The Vishay Dual MOSFET designed for high-reliability applications. This component utilizes TrenchFET technology to provide efficient power management in a Compact TSOP-6 package.
Qualified for automotive use according to AEC-Q101 standards
Undergoes 100 % Rg and UIS testing to ensure robust performance
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