Références fabricant

STMicroelectronics STH N-Channel Power MOSFET, 397 A, 60 V Enhancement, 2-Pin H2PAK-2 STH345N6F7-2

N° de stock RS:: 719-651
Référence fabricant:: STH345N6F7-2
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STH N-Channel Power MOSFET, 397 A, 60 V Enhancement, 2-Pin H2PAK-2 STH345N6F7-2

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 719-651
Référence fabricant:: STH345N6F7-2
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	397A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	STH
	Package Type	H2PAK-2
	Mount Type	Surface
	Pin Count	2
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	341W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	230nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	10.4mm
	Height	4.7mm
	Length	9.3mm

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	Marque STMicroelectronics
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 397A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series STH
	Package Type H2PAK-2
	Mount Type Surface
	Pin Count 2
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 341W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 230nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 10.4mm
	Height 4.7mm
	Length 9.3mm

Datasheet - STH345N6F7-2

Pays d'origine :: CN

The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.

Among the lowest RDS(on) on the market

Excellent FoM (figure of merit)

Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity

High avalanche ruggedness

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