STMicroelectronics STP N channel-Channel Power MOSFET, 60 A, 100 V Enhancement, 2-Pin TO-252 STD70N10F4

Sous-total (1 unité)*

0,88 €

(TVA exclue)

1,06 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 257 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 +0,88 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
719-650
Référence fabricant:
STD70N10F4
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

STP

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

2

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0195Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

85nC

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.2mm

Height

2.4mm

The STMicroelectronics STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET technology is among the latest improvements, which have been especially tailored to minimize on-state resistance, with a new gate structure, providing superior switching performance.

Exceptional dv/dt capability

Extremely low on-resistance RDS(on)

100% avalanche tested

Liens connexes