STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor, 11.5 A, 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT190R70ILB
- N° de stock RS:
- 719-635
- Référence fabricant:
- SGT190R70ILB
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,33 € |
| 10 - 24 | 1,18 € |
| 25 - 99 | 1,15 € |
| 100 - 499 | 1,14 € |
| 500 + | 1,10 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 719-635
- Référence fabricant:
- SGT190R70ILB
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | PowerFLAT | |
| Series | G-HEMT | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 190mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.9mm | |
| Length | 8.1mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type P-Channel | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type PowerFLAT | ||
Series G-HEMT | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.9mm | ||
Length 8.1mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics 700 V 11.5 A e-mode PowerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
Enhancement mode normally off transistor
Very high switching speed
High power management capability
Extremely low capacitances
Kelvin source pad for optimum gate driving
Zero reverse recovery charge
ESD safeguard