STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor, 21.7 A, 700 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT SGT105R70ILB

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N° de stock RS:
719-633
Référence fabricant:
SGT105R70ILB
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

P-Channel

Product Type

Transistor

Maximum Continuous Drain Current Id

21.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Series

G-HEMT

Package Type

PowerFLAT

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

105mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-6 to 7 V

Maximum Power Dissipation Pd

158W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8.1mm

Height

0.9mm

Width

8.1 mm

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics 700 V 21.7 A e-mode PowerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.

Enhancement mode normally off transistor

Very high switching speed

High power management capability

Extremely low capacitances

Kelvin source pad for optimum gate driving

Zero reverse recovery charge

ESD safeguard

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