STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor, 26 A, 700 V Enhancement, 13-Pin TO-LL SGT070R70HTO
- N° de stock RS:
- 719-630
- Référence fabricant:
- SGT070R70HTO
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Visuel non contractuel
Sous-total (1 unité)*
4,24 €
(TVA exclue)
5,13 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 300 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 4,24 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 719-630
- Référence fabricant:
- SGT070R70HTO
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | Transistor | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 26A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Series | G-HEMT | |
| Package Type | TO-LL | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 13 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 231W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.58mm | |
| Height | 2.4mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type Transistor | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 26A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Series G-HEMT | ||
Package Type TO-LL | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 13 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 231W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.58mm | ||
Height 2.4mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics 700 V 26 A e-mode PowerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
Enhancement mode normally off transistor
Very high switching speed
High power management capability
Extremely low capacitances
Kelvin source pad for optimum gate driving
Zero reverse recovery charge
ESD safeguard