STMicroelectronics G-HEMT P-Channel Transistor, 26 A, 700 V Enhancement, 13-Pin TO-LL SGT070R70HTO
- N° de stock RS:
- 719-630
- Référence fabricant:
- SGT070R70HTO
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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- N° de stock RS:
- 719-630
- Référence fabricant:
- SGT070R70HTO
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | Transistor | |
| Channel Type | P-Channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 26A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Package Type | TO-LL | |
| Series | G-HEMT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 13 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 70mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 231W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -6, 7V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 2.4mm | |
| Width | 10.4mm | |
| Length | 10.58mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type Transistor | ||
Channel Type P-Channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 26A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Package Type TO-LL | ||
Series G-HEMT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 13 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 231W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -6, 7V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 2.4mm | ||
Width 10.4mm | ||
Length 10.58mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics 700 V 26 A e-mode PowerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
Enhancement mode normally off transistor
Very high switching speed
High power management capability
Extremely low capacitances
Kelvin source pad for optimum gate driving
Zero reverse recovery charge
ESD safeguard
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