Microchip DN3525 Type N-Channel Single MOSFETs, 360 mA, 250 V Depletion, 3-Pin SOT-89 DN3525N8-G

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649-455
Référence fabricant:
DN3525N8-G
Fabricant:
Microchip
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Marque

Microchip

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

360mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

SOT-89

Series

DN3525

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.6W

Forward Voltage Vf

1.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

Lead (Pb)-free/RoHS

Automotive Standard

No

The Microchip Low threshold depletion-mode (normally-on) transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices.

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

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