onsemi NVM Type N-Channel Single MOSFETs, 195 A, 40 V Enhancement, 5-Pin DFNW-5 NVMFWS1D3N04XMT1G
- N° de stock RS:
- 648-511
- Référence fabricant:
- NVMFWS1D3N04XMT1G
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 5 unités)*
8,17 €
(TVA exclue)
9,885 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 31 mai 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,634 € | 8,17 € |
| 50 - 245 | 1,012 € | 5,06 € |
| 250 - 495 | 0,586 € | 2,93 € |
| 500 + | 0,572 € | 2,86 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 648-511
- Référence fabricant:
- NVMFWS1D3N04XMT1G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 195A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | DFNW-5 | |
| Series | NVM | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38.6nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 90W | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 4.9mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-Free | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 195A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type DFNW-5 | ||
Series NVM | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38.6nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 90W | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 4.9mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-Free | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- MY
The ON Semiconductor Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint
Low RDS(on)
Low QG and Capacitance
Wettable Flank Option
RoHS Compliant
Liens connexes
- onsemi NVM Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 5-Pin DFNW-5 NVMFWS1D1N04XMT1G
- onsemi NVM Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 5-Pin DFNW-5 NVMFWS2D9N04XMT1G
- onsemi NVM Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 5-Pin DFNW-5 NVMFWS0D63N04XMT1G
- onsemi NVM Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 5-Pin DFN-5 NVMFWS004N04XMT1G
- onsemi NVMFWS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin DFNW-5 NVMFWS2D3N04XMT1G
- onsemi NVMFWS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFNW-5 NVMFWS1D5N08XT1G
- onsemi NVMFWS Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFNW-5 NVMFWS2D5N08XT1G
- onsemi Type N-Channel MOSFET Enhancement, 8-Pin DFNW-8 NVMTS0D7N04CTXG