ROHM R4P N-Channel Single MOSFETs, 2 A, 60 V Enhancement, 3-Pin MPT3

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N° de stock RS:
646-554P
Référence fabricant:
R4P020N06HZGT100
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

MPT3

Series

R4P

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

200mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Maximum Power Dissipation Pd

0.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.6mm

Width

4.7mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

4.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The ROHM 4 volt drive N channel metal oxide semiconductor field effect transistor features low on resistance and supports 4 volt drive operation.

AEC-Q101 Qualified

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