ROHM R2P N-Channel Single MOSFETs, 2 A, 60 V Enhancement, 3-Pin MPT3 R2P020N06HZGT100
- N° de stock RS:
- 646-553P
- Référence fabricant:
- R2P020N06HZGT100
- Fabricant:
- ROHM
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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| 250 - 990 | 0,274 € |
| 1000 - 4990 | 0,222 € |
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- N° de stock RS:
- 646-553P
- Référence fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | R2P | |
| Package Type | MPT3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 240mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4.7mm | |
| Length | 4.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 1.6mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series R2P | ||
Package Type MPT3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 240mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4.7mm | ||
Length 4.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 1.6mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM N channel 60 volt 2 ampere middle power metal oxide semiconductor field effect transistor features low on resistance and supports low voltage drive with 2 point 5 volt operation.
AEC-Q101 Qualified