ROHM RD3 Type P-Channel Single MOSFETs, 29 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- N° de stock RS:
- 646-543P
- Référence fabricant:
- RD3L03BBJHRBTL
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total 100 unités (conditionné en bande continue)*
64,70 €
(TVA exclue)
78,30 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 90 unité(s) expédiée(s) à partir du 11 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 100 - 490 | 0,647 € |
| 500 - 990 | 0,58 € |
| 1000 + | 0,458 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 646-543P
- Référence fabricant:
- RD3L03BBJHRBTL
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 29A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | RD3 | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 55mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.8mm | |
| Length | 10.5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, AEC-Q101 | |
| Height | 2.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 29A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series RD3 | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 55mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.8mm | ||
Length 10.5mm | ||
Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101 | ||
Height 2.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM P channel 60 volt 29 ampere power metal oxide semiconductor field effect transistor features lead free plating and is restriction of hazardous substances compliant. It is one hundred percent avalanche tested.
Low on-resistance
AEC-Q101 qualified