Microchip N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3 (TO-226AA)

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 sachet de 1000 unités)*

624,00 €

(TVA exclue)

755,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 02 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
Le Sachet*
1000 +0,624 €624,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
598-980
Référence fabricant:
VN0109N3-G
Fabricant:
Microchip
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Microchip

Channel Type

N-Channel Vertical DMOS FET

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

350mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

90V

Package Type

TO-92-3 (TO-226AA)

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.19 mm

Length

5.08mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Height

5.33mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH
The Microchip N channel enhancement-mode vertical transistor utilizes a vertical double-diffused metal oxide semiconductor (DMOS) structure along with a well-proven silicon gate manufacturing process. This combination ensures the device is free from secondary breakdown and operates with a low power drive requirement, making it efficient and reliable for various applications.

Ease of paralleling

Low power drive requirement

High input impedance and high gain

Liens connexes