Nexperia BSH105 N-Channel MOSFET, 1.05 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSH105,215
- N° de stock RS:
- 509-273
- Référence fabricant:
- BSH105,215
- Fabricant:
- Nexperia
Visuel non contractuel
Sous-total (1 paquet de 20 unités)*
5,06 €
(TVA exclue)
6,12 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
- 30 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 25 novembre 2026
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 0,253 € | 5,06 € |
| 40 - 80 | 0,173 € | 3,46 € |
| 100 - 180 | 0,109 € | 2,18 € |
| 200 - 380 | 0,106 € | 2,12 € |
| 400 + | 0,104 € | 2,08 € |
*Prix donné à titre indicatif
Produit de remplacement
Ce produit n'est pas disponible actuellement. Voici notre produit de remplacement:
L'unité (sur une bobine de 3000)
264,00 €
(TVA exclue)
319,44 €
(TVA incluse)
- N° de stock RS:
- 509-273
- Référence fabricant:
- BSH105,215
- Fabricant:
- Nexperia
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.05A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | BSH105 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 200mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 417mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.9nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -8V, +8V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.4mm | |
| Length | 3mm | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.05A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series BSH105 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 200mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 417mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.9nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -8V, +8V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.4mm | ||
Length 3mm | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Liens connexes
- Nexperia BSH105 N-Channel MOSFET 20 V Enhancement215
- Nexperia N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NX7002BKR
- Nexperia BSS123 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia 2N7002 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BST82 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV100ENEAR
- Nexperia N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV28UNEAR
- Nexperia N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV230ENEAR