Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode, 118 A, 1200 V N, 4-Pin Tape & Reel DM170S12TDRB

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427-760
Référence fabricant:
DM170S12TDRB
Fabricant:
Starpower
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Marque

Starpower

Channel Type

Single Switch

Product Type

SiC Mosfet without Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

118A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

Tape & Reel

Series

DOSEMI

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

29.0mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

3.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

355W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

19V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Starpower MOSFET Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle.

SiC power MOSFET

Low RDS(on)

Chip sintering technology

Low inductance case avoid oscillations

ROHS

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