Starpower DOSEMI Single Switch-Channel SiC Mosfet without Diode, 118 A, 1200 V N, 4-Pin Tape & Reel DM170S12TDRB
- N° de stock RS:
- 427-760
- Référence fabricant:
- DM170S12TDRB
- Fabricant:
- Starpower
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- N° de stock RS:
- 427-760
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- Fabricant:
- Starpower
Spécifications
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Starpower | |
| Product Type | SiC Mosfet without Diode | |
| Channel Type | Single Switch | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 118A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | Tape & Reel | |
| Series | DOSEMI | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 29.0mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 355W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 3.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Starpower | ||
Product Type SiC Mosfet without Diode | ||
Channel Type Single Switch | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 118A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type Tape & Reel | ||
Series DOSEMI | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 29.0mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Power Dissipation Pd 355W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 3.6V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Starpower MOSFET Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as hybrid and electric vehicle.
SiC power MOSFET
Low RDS(on)
Chip sintering technology
Low inductance case avoid oscillations
ROHS