Infineon IMW65 Type N-Channel MOSFET, 130 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO-247 IMW65R010M2HXKSA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

32,70 €

(TVA exclue)

39,57 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 15 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 932,70 €
10 - 9929,43 €
100 +27,14 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
351-950
Référence fabricant:
IMW65R010M2HXKSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

130A

Output Power

312W

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

IMW65

Package Type

PG-TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.3mm

Length

16.3mm

Width

21.5 mm

Standards/Approvals

JEDEC

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Infineon CoolSiC MOSFET G2 in a TO-247-3 package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

Enables BOM savings

Highest reliability

Enables top efficiency and power density

Ease of use

Full compatibility with existing vendors

Allows designs without fan or heatsink

Liens connexes