Semikron Danfoss SEMITOP SiC Power Module, 267 A, 1200 V SEMITOP E2 SK250MB120CR03TE2
- N° de stock RS:
- 351-860
- Référence fabricant:
- SK250MB120CR03TE2
- Fabricant:
- Semikron Danfoss
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- N° de stock RS:
- 351-860
- Référence fabricant:
- SK250MB120CR03TE2
- Fabricant:
- Semikron Danfoss
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Semikron Danfoss | |
| Product Type | SiC Power Module | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 267A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | SEMITOP E2 | |
| Series | SEMITOP | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.2mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Forward Voltage Vf | 4.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 708nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 15 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 63mm | |
| Standards/Approvals | IEC 60747-1, UL | |
| Width | 57 mm | |
| Height | 12mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Semikron Danfoss | ||
Product Type SiC Power Module | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 267A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type SEMITOP E2 | ||
Series SEMITOP | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.2mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Forward Voltage Vf 4.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 708nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 15 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 63mm | ||
Standards/Approvals IEC 60747-1, UL | ||
Width 57 mm | ||
Height 12mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- IT
The Semikron SiC MOSFET WS half-bridge features a 267 A current rating and is simple to drive with a +15V gate voltage. It offers optimized switching stability with module-integrated gate resistors and includes an integrated NTC temperature sensor for efficient thermal monitoring. UL recognized under file no. E63532.
Optimized design for superior thermal performance
Extremely low inductance design
Press Fit contact technology
1200V Planar Gen3 SiC MOSFET
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