ROHM BM2P Type N-Channel MOSFET, 4 A, 650 V Enhancement, 8-Pin SOP-8 BM2P139T1F-E2

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331-721
Référence fabricant:
BM2P139T1F-E2
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

BM2P

Package Type

SOP-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

0.56W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±10 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

105°C

Width

6.2 mm

Length

5mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

1.71mm

Automotive Standard

No

The ROHM PWM type DC to DC converter IC for AC/DC supplies, this IC provides an optimum system for all products that include an electrical outlet. It enables simpler design of a high effective converter specializing in non isolated devices. This IC has a built in starter circuit that tolerates 650 V, and it contributes to low power consumption. With a current detection resistor as internal device, it can be designed as small power supply.

PWM current mode method

Frequency hopping function

Burst operation at light load

Built in 650 v starter circuit

Built in 650 v super junction MOSFET

Over current limiter function per cycle

Soft start function

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