STMicroelectronics STL Type N-Channel MOSFET, 158 A, 100 V, 8-Pin PowerFLAT STL165N10F8AG
- N° de stock RS:
- 330-476
- Référence fabricant:
- STL165N10F8AG
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,24 € |
| 10 - 99 | 2,93 € |
| 100 - 499 | 2,69 € |
| 500 - 999 | 2,51 € |
| 1000 + | 2,23 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 330-476
- Référence fabricant:
- STL165N10F8AG
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 158A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerFLAT | |
| Series | STL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.2mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 167W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 90nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 158A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerFLAT | ||
Series STL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.2mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 167W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 90nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard No | ||
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology, featuring an enhanced trench gate structure. It delivers a state-of-the-art figure of merit with very low on-state resistance, reduced internal capacitances, and gate charge, enabling faster and more efficient switching.
100% avalanche tested
Low gate charge Qg