STMicroelectronics SCT0 MOSFET, 90 A, 1200 V HU3PAK SCT019H120G3AG

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

25,80 €

(TVA exclue)

31,22 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 23 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 925,80 €
10 - 9923,22 €
100 +21,42 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
330-318
Référence fabricant:
SCT019H120G3AG
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

HU3PAK

Series

SCT0

Maximum Drain Source Resistance Rds

18.5mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Power Dissipation Pd

555W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

AEC-Q101 qualified

Very low RDS(on) over the entire temperature range

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Source sensing pin for increased efficiency

Liens connexes