STMicroelectronics SCT0 MOSFET, 90 A, 1200 V HU3PAK SCT019H120G3AG
- N° de stock RS:
- 330-318
- Référence fabricant:
- SCT019H120G3AG
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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- N° de stock RS:
- 330-318
- Référence fabricant:
- SCT019H120G3AG
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 90A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | HU3PAK | |
| Series | SCT0 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18.5mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 555W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 90A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type HU3PAK | ||
Series SCT0 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18.5mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 555W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
AEC-Q101 qualified
Very low RDS(on) over the entire temperature range
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency