ROHM SH8 1 Type N, Type P-Channel MOSFET, 60 V Enhancement, 8-Pin SOP-8 SH8MC4TB1
- N° de stock RS:
- 265-324
- Référence fabricant:
- SH8MC4TB1
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Sous-total (1 ruban de 10 unités)*
5,34 €
(TVA exclue)
6,46 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 80 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,534 € | 5,34 € |
| 100 - 240 | 0,506 € | 5,06 € |
| 250 - 490 | 0,469 € | 4,69 € |
| 500 - 990 | 0,433 € | 4,33 € |
| 1000 + | 0,416 € | 4,16 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 265-324
- Référence fabricant:
- SH8MC4TB1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SH8 | |
| Package Type | SOP-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 96mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SH8 | ||
Package Type SOP-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 96mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM MOSFET is an low on resistance MOSFET which is ideal for switching and motor drive applications. Packaged in a compact SOP8 surface mount format, it offers efficient performance while optimizing space in electronic designs.
RoHS compliant
Pb free lead plating
Halogen free
100 percent Rg and UIS tested
Liens connexes
- ROHM SH8 2 Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 6-Pin SOP-8 SH8KE7TB1
- ROHM SH8MD5HT Type P 80 V Enhancement, 8-Pin SOP-8 SH8MD5HTB1
- ROHM Type N 7 A 8-Pin SOP SH8MC5TB1
- ROHM RRS050 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOP
- ROHM RRS050 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOP
- ROHM RRS050 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOP RRS050P03HZGTB
- ROHM RRS050 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOP RRS090P03HZGTB
- ROHM RRH140P03 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOP RRH140P03GZETB
