ROHM RS6 N-Channel MOSFET, 270 A, 30 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS6E120BGTB1
- N° de stock RS:
- 265-322
- Référence fabricant:
- RS6E120BGTB1
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 10 unités)*
15,35 €
(TVA exclue)
18,57 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 90 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,535 € | 15,35 € |
| 100 - 240 | 1,458 € | 14,58 € |
| 250 + | 1,351 € | 13,51 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 265-322
- Référence fabricant:
- RS6E120BGTB1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 270A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | RS6 | |
| Package Type | HSOP-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.10mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 75.0nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 138W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 270A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series RS6 | ||
Package Type HSOP-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.10mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 75.0nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 138W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET features low on resistance, making it suitable for switching applications, motor drives, and DC/DC converters. Its efficient performance ensures reliable operation across various electronic systems.
RoHS compliant
Low on resistance
Pb free plating
Halogen free
High power package
100 percent Rg and UIS tested
Liens connexes
- ROHM RS6 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS6G120BHTB1
- ROHM RS6 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS6L120BHTB1
- ROHM RS6 N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS6N120BHTB1
- ROHM RS6 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS6G120BGTB1
- ROHM RS6L120BG N-Channel MOSFET 12 V Enhancement HSOP-8
- ROHM RS6L120BG N-Channel MOSFET 12 V Enhancement HSOP-8 RS6L120BGTB1
- ROHM RS1G120MN N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS1G120MNTB
- ROHM RS1P600BH N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS1P600BHTB1