ROHM RS6 N-Channel MOSFET, 135 A, 80 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS6N120BHTB1
- N° de stock RS:
- 264-701P
- Référence fabricant:
- RS6N120BHTB1
- Fabricant:
- ROHM
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Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 135A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | RS6 | |
| Package Type | HSOP-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 53nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 135A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series RS6 | ||
Package Type HSOP-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 53nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching.
Low on-resistance
High power package (HSOP8)
Pb-free plating; RoHS compliant
Halogen free
100% Rg and UIS tested