ROHM HP8J 2 Type P-Channel MOSFET, 12.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8JE5TB1
- N° de stock RS:
- 264-654P
- Référence fabricant:
- HP8JE5TB1
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total 50 unités (conditionné en bande continue)*
56,60 €
(TVA exclue)
68,50 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 2 590 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 50 - 95 | 1,132 € |
| 100 - 495 | 1,048 € |
| 500 - 995 | 0,964 € |
| 1000 + | 0,928 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 264-654P
- Référence fabricant:
- HP8JE5TB1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | HSOP-8 | |
| Series | HP8J | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 127mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38.0nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 21W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type HSOP-8 | ||
Series HP8J | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 127mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38.0nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 21W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Semiconductor is a dual P-channel MOSFET designed for efficient switching and motor drive applications. It features a low on-resistance and high power dissipation, making it ideal for high-performance circuits. The device is housed in an 8-HSOP package, ensuring compact and reliable surface mounting.
RoHS compliant
High power Package
Pb free plating
Halogen Free
Rg and UIS tested