ROHM QH8 2 N-Channel MOSFET, 2 A, 100 V Enhancement, 8-Pin TSMT-8 QH8KE5TCR

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264-562P
Référence fabricant:
QH8KE5TCR
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

QH8

Package Type

TSMT-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

202mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.5W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.8nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The ROHM 100V 2.0A dual N-channel power MOSFET in a TSMT8 package is designed for high-efficiency switching power supply and motor drive applications.

Low on-resistance

Small Surface Mount Package TSMT8

Pb-free plating and RoHS compliant

Halogen Free

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