ROHM HT8 2 N-Channel MOSFET, 15 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8
- N° de stock RS:
- 264-489P
- Référence fabricant:
- HT8KC6TB1
- Fabricant:
- ROHM
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 250 de plus pour économiser 14,00 €
Consulter les options de prix de grosSous-total 100 unités (conditionné en bande continue)*
76,80 €
(TVA exclue)
92,90 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 100 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | Économie |
|---|---|---|
| 100 - 240 | 0,768 € | - |
| 250 - 490 | 0,712 € | 14,00 € |
| 500 - 990 | 0,655 € | 56,50 € |
| 1000 + | 0,63 € | 138,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 264-489P
- Référence fabricant:
- HT8KC6TB1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 15A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | HT8 | |
| Package Type | HSMT-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 29mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 14W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 15A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series HT8 | ||
Package Type HSMT-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 29mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 14W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM dual Nch plus Nch power MOSFET 60V 15A features low on-resistance, making it ideal for switching applications.
Low on-resistance
High Power small mold Package HSMT8
Pb-free plating and RoHS compliant
Halogen Free