Nexperia NSF030120L3A0 Type N-Channel MOSFET, 48 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NSF030120L3A0Q
- N° de stock RS:
- 219-449
- Référence fabricant:
- NSF030120L3A0Q
- Fabricant:
- Nexperia
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 450 + | 30,472 € | 13 712,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 219-449
- Référence fabricant:
- NSF030120L3A0Q
- Fabricant:
- Nexperia
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 48A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | NSF030120L3A0 | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 113nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 306W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 48A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series NSF030120L3A0 | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 113nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 306W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Nexperia SiC Power MOSFET comes in a Compact 3-pin TO-247-3 plastic package for through hole mounting on PCBs. Its excellent RDS(on) temperature stability and fast switching speed make it Ideal for high-power, high-voltage industrial applications, including electric vehicle charging infrastructure, photovoltaic inverters, and motor drives.
Fast reverse recovery
Fast switching speed
Temperature independent turn off switching losses
Very fast and robust intrinsic body diode
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